Печь быстрого отжига

Описание продукции:

РЕАЛЬНЫЙ RTP100Быстрый отжиг - корейский.ULTECHОдна из компаний.4Даймовая печь быстрого отжига, используя инновационную технологию нагрева, может обеспечить реальное измерение температуры фундамента, не требует использования традиционной быстрой печи для компенсации температуры, точного контроля температуры, высокой повторяемости температуры, клиенты, в том числе многие международные полупроводниковые компании и исследовательские группы, являются идеальным выбором для процесса отжига полупроводниковых процессов.

н Технические характеристики:

- Да.Подлинное измерение температуры фундамента без традиционной компенсации температуры

- Да.нагрев инфракрасных галогенных ламп

- Да.Превосходная точность и однородность нагрева.

- Да.Быстрые цифрыПИДконтроль температуры

- Да.вакуумная камера из нержавеющей стали

- Да.Система стабильна.

- Да.Компактные, компактные настольные системы

- Да.С сенсорным экраном.ПКконтроль

- Да.Совместимость с атмосферой атмосферного давления и вакуумом, стандартное значение вакуума5x10 - 3TorrИспользуйте двухступенчатый молекулярный насос с низким вакуумом5x10 - 6Торр

- Да.3Дорожный газ (МФККонтроль)

- Да.Нет перекрестного загрязнения, нет металлического загрязнения

н Техническая презентация:

Как показано на рисунке выше, тепло, излучаемое массивной галогенной лампой, достигает поверхности образца через кварцевое окно, образец нагревается, традиционная печь быстрого отжига использует термопару для измерения температуры пластины, так как термопара имеет определенное расстояние от пластины, измерение не является истинной температурой пластины, должна быть температурная компенсация.

РЕАЛЬНЫЙ RTP100Печь быстрого отжига типа с использованием специальной пластиныРеальный T / C КИТПроводить замеры температуры, как показано выше, термопары термометры и пластинчатыеРеальный T / C КИТСоединение, рабочая пластинкаРеальный T / C КИТРасположенный в непосредственной близости над образцом, массивная галогенная лампа излучает тепло через кварцевое окно до поверхности образца, образец нагревается, пластинчатыйРеальный T / C КИТВ то же время нагревается, так как базовая пластина иРеальный T / C КИТОчень близко, между ними также происходит передача тепла и быстро достигается тепловой баланс, так что пластинчатыйРеальный T / C КИТИзмеренная температура бесконечно близка к истинной температуре базовой пластины, что обеспечивает реальное измерение температуры базовой пластины.

н Основные технические параметры:

- Да.Размер базовой пластины:4дюйм

- Да.Базовый фундамент: кварцевая игла (может быть выбранаСиКГрафит с покрытием)

- Да.Температурный диапазон:150-1250℃

- Да.Скорость нагрева:10-200 ℃ / с

- Да.Температурная однородность:≤±1,5% (@800℃, кремниевая пластинка)

≤±1,0% (@800℃, подложка на графитном восприимчивом веществе с покрытием SiC)

- Да.Точность контроля температуры:≤ ±3℃

- Да.Температура повторяется:≤ ±3℃

- Да.真空度：5.0E - 3 то / 5.0E - 6 то

- Да.Газовое снабжение: стандарт1ДорогаН2Поддув и охлаждающий газопровод, изМФККонтроль (максимум необязательно)3Дорога)

- Да.Продолжительность отжига:≥ 35min@1250 ℃

- Да.Температурный контроль: быстрые цифрыПИДконтроль

- Да.размер870 мм * 650 мм * 620 мм

нТип базовой пластины:

- Да.Кремниевые пластинкиКремниевая пластина

- Да.Составные полупроводниковые пластинкиПолупроводниковая пластина

- Да.GaN/Sapphire пластинки для светодиодовдлясветодиодные的Ган/Сапфировая пластина

- Да.Пластины карбида кремнияпластина на основе карбида кремния

- Да.Поликримниевые пластинки для солнечных элементовПоликристаллические кремниевые пластины для солнечных батарей

- Да.Стеклянные подложкиСтеклянная пластина

- Да.Металлыметалл

- Да.Полимерыполимер

-Графитные и карбидные восприимчивости кремнияГрафит и графитовый фундамент с карбидом кремния

нОбласть применения:

ионная инжекция/Контактный отжиг, быстрая термическая обработка(RTP)Быстрый отжиг(РТА)Быстрое термическое окисление(RTO)Быстрое тепловое азотирование.(RTN)Может использоваться в вакууме, инертной атмосфере, кислороде, водороде, смеси и других различных средах,SiAu, SiAl, SiMoСплавление, низкодиэлектрические материалы, кристаллизация, уплотнение, сцепление панелей солнечных батарей и так далее.