Настольные зеркала TM3030

Настольные зеркала TM3030

Презентация продукции:

Японское настольное зеркало TM3030 имеет компактную структуру и простую работу, оператор не нуждается в профессиональных знаниях зеркала, для рабочей среды нет специальных требований. Оснащен большим бункером образцов, его zui большой размер образца D = 70 мм, H = 50 мм. В сочетании со стандартным режимом и режимом подавления заряда с низким вакуумом можно обеспечить прямое наблюдение за образцами без электропроводности. С новой электронно - оптической системой и 4 - сегментным высокочувствительным электронным зондом обратного рассеяния, образец может быть изображен в нескольких режимах. Дополнительные приложения богаты и имеют много дополнительных функций.

Характеристики продукта:

Стандартный 4 - сегментный детектор обратного рассеяния может собирать информацию об изображениях из четырех различных направлений и может иметь четыре режима изображения. Увеличить до 60 000 раз, а число - до 240 000 раз. Стандартный модуль для больших образцов, может вместить большой образец Zui диаметром 70 мм и толщиной 50 мм.

Низкий вакуум TM3030 * позволяет быстро наблюдать образцы без какой - либо обработки. Компактный дизайн означает, что TM3030 можно легко устанавливать и эксплуатировать в офисах и других местах. Оптимизируя электронно - оптическую систему, TM3030 также обеспечивает « 5kV mode», что позволяет наблюдать структуру поверхности образца, и наблюдение не требуется при высоком напряжении ускорения.

TM3030Plus добавляет высокочувствительный низковакуумный вторичный электронный зонд UVD на основе TM3030, который обладает хорошим качеством изображения в условиях низкого вакуума и не требует предварительной обработки образцов.

TM3030Plus может накладывать вторичное электронное изображение и электронное изображение обратного рассеяния в одно изображение и отображать его в режиме реального времени. Вторичное электронное изображение в основном представляет информацию о форме поверхности с высоким разрешением образца, а электронное изображение обратного рассеяния в основном представляет информацию о конфигурации компонента.

Основные параметры:

1. Увеличение: ×15 - 60000

2. Установление условий наблюдения: 5KV / 15KV / EDX

3. Режим наблюдения: Стандартный режим, режим снижения заряда

Детектор: высокочувствительный полупроводниковый четырехсегментный детектор BSE

5. Электронная пушка: проволока предварительного среднего освещения

Область применения:

Наука о жизни

Материаловедение

химия

Электронное производство

Пищевая промышленность